A图是最好的，这时Vds刚好下降到零时来驱动信号，实现了比较好的ZVS效果；B图可以看到VDS无法下降到零，说明MOS管在关断时的激磁电流过小，无法将输出电容的能量完全抽走，所以需要增加关断时的谐振电流，可以通过减小变压器激磁电感来实现；C图是可以实现ZVS，但是死区时间过大，VDS电压又起来了，这个时候也会有开通损耗，所以需要减小死区时间。D图虽然也可以实现ZVS，但是死区时间还是过长，我们需要把死区时间减短一点，达到和A图一样的效果。
现在来看MOS管体二极管的影响：
这里的td是上下两个MOS管的死区时间，可以看到VGS,H信号变为低电平，L端Q1开关管两端的VDS电压会下降，此时下管Q2的输出电容Coss的能量被抽走，能量全部被抽走之后呢，Q2的体二极管导通；经过死区时间td之后，下管Q2的VGS,L信号由低变高，实现了ZVS，此时一小段时间电流依然为负，电流会同时走体二极管和沟道；当电流由负变为正之后，二极管反向偏置，电流的走向从MOS管的漏极到源极；然后当Q2的驱动信号VGS,L由高变低之后，此时下管Q2的输出电容Coss充电，上管Q1的输出电容Coss放电，为上管Q1实现ZVS创造条件。
因此，我们总结在选择MOS管时，要关注的三个比较重要的参数：
功率MOS管的死区时间Td，MOS管开通时的最大电流Id,max，以及下管Q2关断时的电流Id,off。其中死区时间和关断电流是实现ZVS的关键参数。
我们知道，当MOS管导通时，功率MOS管的导通电流与导通电阻Rdson的乘积就是功率MOS管的导通压降，如果这个压降太低或者没有正向电流，体二极管不能完全反向恢复或者进入反向恢复。当对应的MOS管开通时，电路会因为反向恢复电流的高di/dt而产生一个非常高的电压尖峰，从而可能损坏功率MOSFET。
在半桥LLC在启动时，对体二极管的影响也比较大。
在启动前，谐振电容Cr和输出电容Coss刚好是处于完全放电的状态。与正常工作状况相比，在启动过程中，这些空电容会使低端MOS管Q2的体二极管深度导通。因此流过开关Q2体二极管的反向恢复电流非常高，致使当高端MOS管Q1导通时，引起桥臂直通问题，Q1和Q2都会流过非常大的反向恢复尖峰电流，进而会产生比较高的尖峰电压。启动状态下，在体二极管反向恢复时，非常可能发生功率MOSFET的潜在失效。
现在我们来看一下过载情况下体二极管的影响。
这个是不同负载下半桥LLC谐振变换器的直流增益特性曲线。根据不同的工作频率和负载可以分为三个区域。右边是感性工作区域，可以实现功率MOS的ZVS，粉红色区域是ZCS区域，谐振电路的阻抗为容性，会出现电流超前于电压的情况。当在过载模式下，LLC的工作模式会从正常的感性区域移动到异常的容性区域，并且串联谐振变换器特性成为主导。这个时候开关电流增加，ZVS消失。ZCS最严重的缺点是开通时为硬开关，失去了软开关特性，这样会导致二极管反向恢复应力，此外还会增加开通损耗，产生严重的噪声或EMI。
当使用的MOSFET体二极管的反向恢复特性较差时，二极管关断会伴随非常大的dv/dt，因此在很大的di/dt条件下，会产生很高的反向恢复电流尖峰。这些尖峰会比稳态开关电流幅值大十倍以上。这个大电流会使MOSFET损耗大大增加、发热严重，极端情况下会损坏MOSFET，使整个电源系统失效。
另外一种更恶劣的情况是输出短路：
