根据所使用的光源的改进以及双工作台、沉浸式光刻等新型光刻技术的创新与发展，光刻机经历了 5 代产品的发展，每次光源的改进都显著提升了升光刻机的工艺制程水平，以及生产的效率和良率。
现在广泛使用的光刻机分为干式和浸没式，45nm以下的高端光刻机的市场中，ASML是目前市场的龙头，占据 80%以上的份额。
而目前最为先进的光刻机叫EUV光刻机，目前华为麒麟990 5G版首次采用了7nm EUV技术，EUV技术也叫紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线，目前1-4 代光刻机使用的光源都属于深紫外光，而5代EUV光刻机则属于极紫外光。
根据瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），这么短的波长可以提供极高的光刻分辨率。在1985年左右已经有半导体行业科学家就EUV技术进行了理论上的探讨并做了许多相关的实验。
