图 射频溅射工作示意图
射频频率:13.56MHz
特点:
电子作振荡运动,延长了路径,不再需要高压。
射频溅射可制备绝缘介质薄膜
射频溅射的负偏压作用,使之类似直流溅射。
3.磁控溅射
原理:以磁场改变电子运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,提高了电子对工作气体的电离几率,有效利用了电子的能量。从而使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效,可在较低的气压条件下进行溅射,同时受正交电磁场束缚的电子又约束在靶附近,只能在其能量耗尽时才能沉积的基片上。
图 磁控溅射原理示意图
特点:低温,高速,有效解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题。
缺点:
靶材利用率低(10%-30%),靶表面不均匀溅射;
反应性磁控溅射中的电弧问题;
薄膜不够均匀
溅射装置比较复杂
反应溅射
在溅射气体中加入少量的反应气体如氮气,氧气,烷类等,使反应气体与靶材原子一起在衬底上沉积,对一些不易找到块材制成靶材的材料,或溅射过程中薄膜成分容易偏离靶材原成分的,都可利用此方法。
反应气体:O2,N2,NH3,CH4,H2S等
镀膜操作
将制好的样品台放在样品托内,置于离子溅射仪中,盖好顶盖,拧紧螺丝,打开电源抽真空。待真空稳定后,约为5 X10-1mmHg,按下"启动"按钮,通过调节针阀将电流调至6~8mA,开始镀金,镀金一分钟后自动停止,关闭电源,打开顶盖螺丝,放气,取出样品即可。
图 Cressington 108Auto高性能离子溅
半导体工程师
半导体经验分享,半导体成果交流,半导体信息发布。半导体行业动态,半导体从业者职业规划,芯片工程师成长历程。