② 集电极和发射极的判别
确定基极后，假设余下管脚之一为集电极c，另一为发射极e，用手指分别捏住c极与b极（即用手指代替基极电阻Rb）。同时，将万用表两表笔分别与c、e接触，若被测管为NPN，则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极（PNP管相反），观察指针偏转角度；然后再设另一管脚为c极，重复以上过程，比较两次测量指针的偏转角度，大的一次表明IC大，管子处于放大状态，相应假设的c、e极正确。
三极管性能的简易测量
（1） 用万用表电阻档测ICEO和
基极开路，万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e（PNP管相反），此时c、e间电阻值大则表明ICEO小，电阻值小则表明ICEO大。 用手指代替基极电阻Rb，用上法测c、e间电阻，若阻值比基极开路时小得多则表明 b值大。
（2） 用万用表hFE档测 b
有的万用表有hFE档，按表上规定的极型插入三极管即可测得电流放大系数 b，若 b 很小或为零，表明三极管己损坏，可用电阻档分别测两个PN结，确认是否有击穿或断路。
半导体三极管的选用
选用晶体管一要符合设备及电路的要求，二要符合节约的原则。根据用途的不同，一般应考虑以下几个因素：工作频率、集电极电流、耗散功率、电流放大系数、反向击穿电压、稳定性及饱和压降等。这些因素又具有相互制约的关系，在选管时应抓住主要矛盾，兼顾次要因素。 低频管的特征频率fT一般在2.5MHz以下，而高频管的fT都从几十兆赫到几百兆赫甚至更高。选管时应使fT为工作频率的3~10倍。原则上讲，高频管可以代换低频管，但是高频管的功率一般都比较小，动态范围窄，在代换时应注意功率条件。
一般希望b选大一些，但也不是越大越好。b太高了容易引起自激振荡，何况一般b高的管子工作多不稳定，受温度影响大。通常b多选40~100之间，但低噪声高b值的管子（如1815、9011~9015等），b值达数百时温度稳定性仍较好。另外，对整个电路来说还应该从各级的配合来选择b。例如前级用b高的，后级就可以用b较低的管子；反之，前级用 b 较低的，后级就可以用b较高的管子。
