DUV光刻机与EUV光刻机有一些区别。
这些差异主要体现在光源、波长以及成本方面。
DUV光刻机使用的是深紫外光（Deep Ultraviolet Light），波长较长，通常为193纳米，而EUV光刻机则使用极紫外光（Extreme Ultraviolet Light），波长为13.5纳米。
由于波长的差异，EUV光刻机可以实现更高的分辨率和更小的制程节点。
然而，EUV光刻机的成本相对较高，并且目前还存在一些技术挑战，如光源的稳定性和产能的提升。
因此，DUV光刻机仍然被广泛应用于半导体制造业，而EUV光刻机则被视为下一代制程技术的发展方向。
DUV光刻机和EUV光刻机是两种不同的光刻技术。DUV光刻机使用深紫外光（193nm）作为光源，而EUV光刻机使用极紫外光（13.5nm）。
EUV光刻机具有更短的波长，可以实现更高的分辨率和更小的特征尺寸。此外，EUV光刻机还可以使用更大的光刻模板，减少了多重曝光的需求。然而，EUV光刻机的技术难度更高，成本更高，且目前的光源功率较低，限制了其在大规模生产中的应用。
