据台媒Digitimes的新闻，华为在年底旗舰新机Mate 30将导入类载板技术，这等同宣告类载板未来将成为消费性电子产品的主流主板技术；这也标志着华为成为继苹果、三星后，第三个大量采用类载板做为主板的品牌。
类载板自2017年正式大量用于手机等移动终端，比如苹果就率先在iWatch、iPhone6、iPhone7等产品中大量使用类载板，后来三星也在移动智能设备中开始采用类载板技术。
类载板（SLP）是下一代PCB硬板，可将线宽/线距从HDI的40/40微米缩短到30/30微米。类载板接近用于半导体封装的IC载板，但尚未达到IC载板的规格，而其用途仍是搭载各种主被动元器件。
背景介绍
PCB导线宽度、间距，微孔盘的直径和孔中心距离，以及导体层和绝缘层的厚度都在不断下降，从而使PCB得以在尺寸、重量和体积减轻的情况下，反而能容纳更多的元器件。如同摩尔定律之于半导体一般，高密度也是印制线路板技术持之以恒的追求：
极细化线路要求比HDI更高的制程。高密度促使PCB不断细化线路，锡球（BGA）间距不断缩短。在几年前，0.6 mm -0.8 mm节距技术已用在了当时的手持设备上，这一代智能手机，由于元件I/O数量和产品小型化，PCB广泛使用了0.4 mm节距技术。而这一趋势正向0.3 mm发展，事实上业内对用于移动终端的0.3 mm间距技术的开发工作早已开始。同时，微孔大小和连接盘直径已分别下降到75 mm和200 mm。
类载板更契合SIP封装技术要求。SIP即系统级封装技术，根据国际半导体路线组织（ ITRS ）的定义：SIP为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如 MEMS 或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统的封装技术。
实现电子整机系统的功能通常有两种途径，一种是SOC，在高度集成的单一芯片上实现电子整机系统；另一种正是SIP，使用成熟的组合或互联技术将CMOS等集成电路和电子元件集成在一个封装体内，通过各功能芯片的并行叠加实现整机功能。近年来由于半导体制程的提升愈发困难，SOC发展遭遇技术瓶颈，SIP成为电子产业新的技术潮流。苹果公司在iWatch、iPhone6、iPhone7等产品中大量使用了SIP封装。构成SIP技术的要素是封装载体与组装工艺，对于SIP而言，由于系统级封装内部走线的密度非常高，普通的PCB板难以承载，而类载板更加契合密度要求，适合作为SIP的封装载体。
类载板的制造工艺
减成法：减成法是最早出现的PCB传统工艺，也是应用较为成熟的制造工艺，一般采用光敏性抗蚀材料来完成图形转移，并利用该材料来保护不需蚀刻去除的区域，随后采用酸性或碱性蚀刻药水将未保护区域的铜层去除。对于减成法工艺，最大的缺点在于蚀刻过程中，裸露铜层在往下蚀刻的过程中也向侧面蚀刻（即侧蚀），由于侧蚀的存在，减成法在精细线路制作中的应用受到很大限制，当线宽/线距小于50μm(2mil)时，减成法由于良率过低已无用武之地。
全加成法（SAP）:全加成法工艺采用含光敏催化剂的绝缘基板，在按线路图形曝光后，通过选择性化学沉铜得到导体图形。全加成法工艺比较适合制作精细线路，但是由于其对基材、化学沉铜均有特殊要求，与传统的PCB制造流程相差较大，成本较高且工艺并不成熟，目前的产量不大。全加成法可用于生产WB或FC覆晶载板，其制程可达12μm/12μm。
半加成法（MSAP）：半加成法立足于如何克服减成法与加成法在精细线路制作上各自存在的问题。半加成法在基板上进行化学铜并在其上形成抗蚀图形，经过电镀工艺将基板上图形加厚，去除抗蚀图形，然后再经过闪蚀将多余的化学铜层去除，被干膜保护没有进行电镀加厚的区域在差分蚀刻过程中被很快的除去，保留下来的部分形成线路。MSAP的特点是图形形成主要靠电镀和闪蚀。在闪蚀过程中，由于蚀刻的化学铜层非常薄，因此蚀刻时间非常短，对线路侧向的蚀刻比较小。
类载版技术的优点
类载板的好处在于堆叠层数变多，并可用封装程序缩小整体面积和线宽。智能手机机内空间有限，但是零件繁多，还须留下庞大空间安放电池，才能提高续航力。类载板能减少占用空间，扩大电池容量，因此成了业者新宠。
类载板技术的缺点
由于类载板的堆叠层数多，密集度大，势必导致各类元器件的散热空间不够，给手机的散热能力带来巨大挑战，手机发烫、降频、充电慢耗电快等问题也随之而来。
