P型半导体：B掺杂，多余的空穴，少子的电子。
N型半导体：P掺杂，多余的电子，少子的空穴。
PN结具有整流特性，即正向导通，反向截止。
内建电场：
内建电场的概念
半导体=P型半导体 N型半导体
A.PN结外接电源：／正向偏置:导通
＼反向偏置：截止
B.PN结电容：／势垒电容
＼扩散电容
B-1.势垒电容
位置：发生在PN结交界处
原理：两端电压引起交界处电荷量的变化
研究对象：主要是多子
PN结变窄，空间电荷区变小，结中空间电荷量变少~电容放电：正向电压升高、反向电压减小。
PN结变宽，空间电荷区变大，结中空间电荷量变多~电容充电：正向电压减小、反向电压升高。
B-2.扩散电容
位置：正向偏置
研究对象：少子
原理：当电压正偏，且变大时，P区中的少子（负离子）与N区的少子（空穴）浓度梯度增大。
A与B的关系：
当PN结正向偏置时，电阻小，主要表现为扩散电容；
当PN结反向偏置时，电阻大，主要表现为势垒电容。
