从曲线中不仅可以看到CuSbSy@C具有高容量，而且还证实了碳包覆有效改善了CuSbSy@C的可靠性。Cu2S@C、Sb2S3@C和CuSbSy在100 mA g−1下近20个循环后明显容量衰减，而CuSbSy@C能够保持稳定的充放电比容量。
CuSbSy@C在初始充放电时具有显著的初始容量为423.1/632.4 mAh g−1，初始库仑效率为66.89%。在100 mA g−1下经过60个循环后，CuSbSy@C保持了高达438.8 mAh g−1的比容量。
CuSbSy@C在500 mA g−1下的循环稳定性测试显示，经过1000个循环后，具有244.2 mAh g−1的高容量。在1000 mA g−1的高电流密度下进行1000个循环后，CuSbSy@C电极达到了174.5 mAh g−1的高容量，并保持了73.2%的容量。
不断增加的循环次数表明，碳包覆层有效地抑制了反应过程中CuSbSy的体积膨胀和电解质与电极之间的不利副反应。CuSbSy@C在现有的双金属硫化物中取得了出色的倍率性能。
为了进一步探索CuSbSy@C电极在PIBs中的倍率性能，以0.01–3 V的电压范围内，分别在不同电流密度下测试了充放电比容量。
CuSbSy@C电极在0.05、0.1、0.2、0.3、0.5、1、2和5 A g−1的电流密度下，表现出了410.8、356.5、318.6、294.5、267.3、241.1、213.4和173.6 mAh g−1的高可逆比容量。
当电流密度恢复到0.05 A g−1时，恢复的容量保持在337.5 mAh g−1（82.2%），显示出优异的倍率性能。CuSbSy@C通过双金属协同和碳包覆不仅获得了容量增强，还改善了循环性能和长寿命性能，显示出在PIBs中具有很强的竞争力。
这是由于CuSbSy@C电极与电解质的接触面积较大，而CuSbSy电极与电解质的接触面积较小。Bode图显示材料具有双电弧特性，与等效电路模型相匹配。
等效电路由电解质和电极电极接触电阻（Re）、电解质和电极内部电阻（Rct）以及电解质和电极的互化电容（CPE）组成。这表明CuSbSy@C材料具有较低的电极电极接触电阻和电解质和电极内部电阻，有利于离子传输和电化学反应。
CuSbSy@C材料在0.1–0.5 Hz频率范围内表现出较低的电解质电阻（Rct）值，这是由于碳包覆层能够提供更好的电子传导性能和离子扩散速率。这些电化学性能结果证明了碳包覆的CuSbSy材料在钾离子储存领域的优异性能。
本研究经过一系列实验和表征方法对CuSbSy@C纳米球的制备和性能进行了详细研究。CuSbSy@C纳米球具有独特的壳核结构，核部分由内部双金属硫化物CuSbSy组成，外部由氮掺杂碳层包覆。
这种结构的形成是通过一系列步骤，包括沉淀、碳化和离子交换反应实现的，CuSbSy@C纳米球具有优异的性能，适用于钾离子电池应用。
