掺杂ZnS可以调制其导电性能。通过引入适量的杂质元素，如锗或氮，可以改变ZnS的导电类型（N型或P型），从而实现半导体器件中的电流控制和电子传输。
ZnS具有较高的硬度和强度，使其在材料工程中具有应用潜力。它可以用于涂层、薄膜和防护材料等方面。
ZnS晶体具有优良的光学、电学和机械性能，使其成为半导体行业和材料科学领域的重要材料之一。
各向异性压力是指在不同方向上施加的压力不同，对晶体结构会产生显著影响。
各向异性压力会改变晶体的晶胞形状。在受到各向异性压力作用时，晶体的晶胞可能发生拉伸或压缩，导致晶胞参数的变化。这种变化会引起晶体的晶格畸变，从而影响晶体的物理和化学性质。
各向异性压力还会改变晶体的晶格常数。晶格常数是描述晶体中原子排列的参数，它决定了晶体的结构和性质。当施加各向异性压力时，晶体的晶格常数可能会增大或减小，从而改变晶体的原子间距和结构。
某些晶体材料具有压电效应，即在施加压力时会产生电荷分离。各向异性压力可以改变晶体的对称性，进而影响压电效应的大小和方向。这对于一些应用中需要利用压电效应的设备和材料来说，具有重要意义。
各向异性压力还会对晶体的机械性能产生影响。由于晶格畸变和晶胞形状的改变，晶体的弹性模量、硬度和断裂韧性等机械性能可能发生变化。这对于材料科学和工程应用中的设计和选择具有重要的考虑因素。
各向异性压力对晶体结构的影响是多方面的，涉及晶胞形状、晶格常数、压电效应和机械性能等方面。这些影响直接影响着晶体的物理和化学性质，对于材料科学、固态物理和工程应用都具有重要意义。
