工艺与特点
HIT电池结构:晶硅衬底 正反面各3 层膜。HIT电池以N 型单晶硅片作衬底，正反面依次沉积本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层TCO，再通过丝网印刷制作正负电极，导出电流。
HIT电池制造工序：清洗制绒>非晶硅薄膜沉积>TCO沉积>制作电极>测试分档。清洗制绒：去除硅片表面杂质，制作金字塔绒面，减少阳光反射。HIT电池要求制作大绒面，制绒难度高于PERC。
非晶硅沉积：主要使用PECVD设备进行非晶硅薄膜沉积，薄膜厚度为纳米级，且内部结构较为复杂，半导体级工艺，技术摸索集中在这个环节。
TCO沉积：使用PVD或者RPD设备沉积金属氧化物导电层TCO，该工艺在平板显示领域应用较多，已经十分成熟，PVD和RPD目前还存在路线之争。
制作电极：丝网印刷或者镀铜，制作电极导出电流，MBB多主栅技术导入后，银浆消耗量大幅度下降，镀铜必要性大幅降低，主流企业基本都走刷银路线。
图三：HIT电池制作工艺
异质结电池优势
效率高：目前主流企业量产效率都站上24%，行业新进者基本也在23.5%以上，明年底有望冲击25%。效率高带来组件环节BOM成本和电站环节BOS成本的节省。当前单晶PERC和常规多晶效率差3%，价格差0.35元/瓦。
这里要插一句，效率高这个我们在《隆基股份：单晶一体化运营典范》有过详细介绍，如图：
图四：各类电池效率概览
数据来源：中国光伏行业协会（2018年中国光伏年报）
图五：HIT电池效率优势溢价测算
衰减低：HIT年均衰减0.25%，不到PERC一半，25年内多发电5%左右。
➢N型硅片掺磷，没有P型硅片的硼氧对、铁硼对等复合中心，光致衰减LID很小；
➢N型硅片少子为空穴，空穴比电子更难被俘获而复合，对金属杂质不敏感；
➢HIT表面TCO膜为导电体，电荷不会在电池表面聚集，无电位诱导衰减PID；
图六：低衰减发电量增益和低衰减净利增益
