2)制备非晶硅薄膜：硅片在PECVD设备中制做钝化膜和PN结。HIT的高效率根源于本征非晶硅薄膜优良的钝化效果。晶硅表面存在大量的悬挂键，光照激发的少数载流子到达表面后容易被悬挂键俘获而复合，降低电池效率。通过在硅片两侧沉积富氢的本征非晶硅薄膜，可以将悬挂键氢化，有效降低界面态缺陷，显著提高少子寿命，增加开路电压，进而提高电池效率。
每一层膜的厚度只有4-10nm，但每1-2nm实现的功能不一样，制备工艺也不一样，因此本征和掺杂非晶硅薄膜需要在多个腔体中完成，PECVD中要导入多腔室沉积系统。
3)沉积金属氧化物导电层：硅片沉积完非晶硅薄膜之后就进入PVD或RPD设备，沉积透明金属氧化物导电膜TCO。TCO纵向收集载流子并向电极传输。非晶硅层晶体呈长程无序结构，电子与空穴迁移率较低，横向导电性较差，不利于光生载流子的收集，因此需要在正面掺杂层上方沉积一层75-80nm厚的TCO，用于纵向收集载流子并向电极传输。TCO可以减少阳光反射。
TCO膜在可见光范围内（波长380-760nm）具有80%以上的穿透率，且电阻很低，其成分主要为In、Sb、Zn、Sn、Cd及其氧化物的复合体。目前应用最广泛的是ITO、SCOT、IWO、AZO。
TCO制备存在PVD和RPD两种路线，目前业内企业出于成本考虑大多选择PVD路线。
