从全球市场竞争力上看，光设备领域，中国企业已成长为产业引领者，如华为、中兴、烽火；光器件领域，中国厂商主要集中在中低端产品，依靠封装优势在中低端市场已形成较强影响力，在高端有源器件、光模块方面提升空间大；光电芯片领域，高端光芯片与配套集成电路芯片依旧是行业瓶颈，依赖海外国家，国产化率不超过10%，中国光电子企业正处于追赶阶段。
下面我们将主要介绍光通信产业链中的光芯片、光器件、光模块。
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光芯片
1、光芯片：光模块的核心器件
光芯片是光模块的核心器件，成本占比随光模块速率的提升而上升。光芯片的性能与传输速率直接决定光通信系统的传输效率，是光模块的核心器件。据统计测算，光芯片在低端、中端、高端模块的成本占比分别约为30%、50%、70%，随着光模块速率的提升，光芯片在光模块的成本占比提升。
光芯片细分品类多，广泛应用于各个领域。光芯片主要分为有源光器件芯片和无源光器件芯片。有源光芯片包括激光器芯片、探测器芯片及调节器芯片，而无源光芯片则包括PLC和AWG芯片。激光器芯片和探测器芯片分别用于将电信号转换为光信号和将光信号转换为电信号。激光器芯片可以进一步分为边发射激光器芯片（EEL）和面发射激光器芯片（VCSEL）。探测器芯片使用最广泛的是PIN光电二极管（PIN-PD）和APD（雪崩光电二极管）。
光芯片通常采用III-V族元素化合物半导体为衬底。按照材料体系及制造工艺的不同，分为磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）、硅基和薄膜铌酸锂（LiNbO3）四类。磷化铟和砷化镓具有高频、高低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，符合高频通信的特点，因而在光通信芯片领域得到重要应用。其中，磷化铟（InP）衬底用于制作FP、DFB、EML边发射激光器芯片和PIN、APD探测器芯片，主要应用于电信、数据中心等中长距离传输；砷化镓（GaAs）衬底用于制作VCSEL面发射激光器芯片，主要应用于数据中心短距离传输、3D感测等领域。硅基衬底用于PLC、AWG、调制器、光开光芯片等，LiNbO3衬底主要用于高速率调制器芯片。
激光器芯片和探测器芯片，根据调制速率、功耗、传输距离、成本等关键特性的不同，分别应用于无线回传、FTTX接入网、数据中心、长途传输等光通信场景中。
2、生产流程及经营模式
光芯片的生产工艺包括芯片设计、基板制造、磊晶成长、晶粒制造、封装测试共五个主要环节。芯片设计指根据芯片功能需求制作光电线路图，这是光芯片生产流程的核心环节。我国多数企业主要集中在这一环，拥有设计能力但不具备生产能力。
基板制造/衬底：主要指InP/GaAs等材料经提纯、拉晶、切割、抛光、研磨制成单晶体衬底（基板），这是光芯片规模制造的第一个重要环节；
磊晶生长/外延片：根据设计需求，生产企业用基板和有机金属气体在MOCVD/MBE设备里长晶，制成外延片。外延片是决定光芯片性能的关键一环，生成条件较为严苛，是光芯片行业技术壁垒最高环节；
晶粒制造和封装测试：对外延片进行光刻等系列处理，最后封装成拥有完整光电性能的光芯片。
