（1）：功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线
（2）：说明：
功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点：
当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同二极管。
（3）：稳态特性总结：
-- 门极与源极间的电压Vgs 控制器件的导通状态；当Vgs<Vth时，器件处于断开状态，Vth一般为 3V；当Vgs>Vth时，器件处于导通状态；器件的通态电阻与Vgs有关，Vgs大，通态电阻小；多数器件的Vgs为 12V-15V ，额定值为 -30V；
-- 器件的漏极电流额定是用它的有效值或平均值来标称的；只要实际的漏极电流有效值没有超过其额定值，保证散热没问题，则器件就是安全的；
-- 器件的通态电阻呈正温度系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动的对称性和动态均流问题；
-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通态电阻很小；
-- 器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛，原因是它的通态电阻非常小（目前最小的为2-4 毫欧），在低压大电流输出的DC/DC 中已是最关键的器件；
包含寄生参数的功率MOSFET等效电路
（1）：等效电路
