以上有二个地方都可以判断ID的电流大小。TC是物体表面温度，以这个为判断标准，TA是环境温度，一般不按它判断ID电流。
说明：完全开启，漏极和源极两端最大过电流50A。但是实际应用流过它的电流大概1/5，也就是10A左右（TO252），小封装的话就更接近些，不然发烫很严重。
测试条件：在Vgs=Vds，在漏极和源极两端电流控制在250uA。
影响：实现电路需要多大电参就要参考这值，还有要加多大散热片，铺多少铜。
说明：开启电压，也叫阀值电压。
测试条件：在Vgs=Vds，在漏极和源极两端电流控制在250uA。
影响：如上图，如果低于1.5V的话，管子不导通，大于它才开启，这时候的电流是250uA是非常小的，导通电阻是很大，驱动电压大小选择就根据它，比如单片机启动电压是3V那肯定不能选择它，有5V才可以（具体看VGS4.5V的导通电阻大小）。
说明：导通时，Vds的内阻，也叫导通电阻
测试条件：在Vgs=10V，通过20A的电流；Vgs=4.5V，通过15A的电流，在漏极和源极两端的内阻。
影响：内阻越小，MOS过的电流越大，相同电流下，功耗越小；实际电路的驱动电压多大，管子会造成多大损耗，就根据这个电阻。（还有开关频率，下面讲）
