说明:Ciss=Cgs Cgd 输入电容
Coss=Cds Cgd 输出电容
Crss=Cgd(米勒电容)
理论是这样的,它们也确实源极,漏极,栅极之间都是存在结电容的,但是我查了好多规格书都没有算出Ciss=Cgs Crss .;当然在实际应用中我们都是只看CISS.
影响:Ciss:影响到MOS管的开关时间,Ciss越大,同样驱动能力下,开通和关断时间就越慢,开关损坏也就越大。较慢的开关速度对应会带来较好的EMI。所以很多高频电路一定要看这个Ciss结电容,开关频率越高选择的结电容就需要越小。
Coss和Crss:这两项参数对MOSFET关断时间略有影响,其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时,传输到MOSFET栅极电压能力的大小,对雷击测试项目有一点的影响
MOS的损耗就是它本身的电阻和开关损耗总和,导致它发烫。
如上图,当VDS电压一定时,VGS的电压越高,ID电流越大,说明电阻越小;还有VGS=10V到5V电流基本变,说明管子在VGS为5V时,管子已经接近饱和状态,电阻最小了。
如上图,可以清晰地看出VGS 4.5V的导通电阻要比VGS 10V的要大。关于VGS不变,ID电流变大,电阻变大,这是因为电流大了,发热导致电阻也会稍微变大
如上图,温度越高,会导致VGS的启动电压变低,这也是一些工程师说我在高温环境测试老化,确实管子导通了,但是常温既然开不起。