反向电压增加，势垒电容减小。
PN结加反偏时，PN结交界处存在势垒区。P型层与N型层之间出现耗尽区（空间电荷区），类似电容器的绝缘层，而P、N区充当电容的两个极板，该电容的数值可以根据平板电容相似的理论加以计算。
当所加的反向电压增加时，会使耗尽区变宽，相当于极板距离加大，根据平板电容的理论，结电容量就会减小；反之反向电压减小时，使耗尽区变窄，结电容增加。
损坏性击穿时，电阻从0欧到几千欧之间，随机的。稳压管击穿时，谈电阻没有意义，它是非线性的，低于击穿值电阻接近无穷大，高于击穿值电阻接近于零。
