编辑
添加图片注释，不超过 140 字（可选）
28. 载流子在电场作用下的运动为（ A ）。
A. 漂移运动 B. 扩散运动 C. 热运动 D. 共有化运动
29. 下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（ A ）。
A. 含硼1×1015cm-3的硅 B. 含磷1×1016cm-3的硅
C. 含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅 D. 纯净的硅
30.一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上_________，而能量小于费米能级的量子态基本上为__________，而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是_________，所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。（ A ）
A. 没有被电子占据，电子所占据，1/2 B. 电子所占据，没有被电子占据，1/2
C. 没有被电子占据，电子所占据，1/3 D. 电子所占据，没有被电子占据，1/3
三．简答题
1．简要说明费米能级的定义、作用和影响因素。
答：电子在不同能量量子态上的统计分布概率遵循费米分布函数：
编辑
添加图片注释，不超过 140 字（可选）
费米能级EF是确定费米分布函数的一个重要物理参数，在绝对零度是，费米能级EF反映了未占和被占量子态的能量分界线，在某有限温度时的费米能级EF反映了量子态占据概率为二分之一时的能量位置。确定了一定温度下的费米能级EF位置，电子在各量子态上的统计分布就可完全确定。
费米能级EF的物理意义是处于热平衡状态的电子系统的化学势，即在不对外做功的情况下，系统中增加一个电子所引起的系统自由能的变化。
半导体中的费米能级EF一般位于禁带内，具体位置和温度、导电类型及掺杂浓度有关。只有确定了费米能级EF就可以统计得到半导体导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度。
2．在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导体哪些主要性质；什么是杂质补偿？杂质补偿的意义何在？
答：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。它可有效地提高半导体的导电能力。掺杂半导体又分为n型半导体和p型半导体。
深能级杂质是指杂质所在的能级位置在禁带中远离导带或价带，在常温下很难电离，不能对导带的电子或价带的空穴的浓度有所贡献，但它可以提供有效的复合中心，在光电子开关器件中有所应用。
当半导体中既有施主又有受主时，施主和受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电离，这就是杂质补偿。
利用杂质补偿效应，可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型，制造各种器件。
3．什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？
答：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并同时向价带提供空穴，这种杂质就叫受主。
受主电离成为带负电的离子（中心）的过程就叫受主电离。
受主电离前带不带电，电离后带负电。
4．什么叫复合中心？何谓间接复合过程？有哪四个微观过程？试说明每个微观过程和哪些参数有关。
答：半导体内的杂质和缺陷能够促进复合，称这些促进复合的杂质和缺陷为复合中心； 间接复合：非平衡载流子通过复合中心的复合；
四个微观过程：俘获电子，发射电子，俘获空穴，发射空穴；
俘获电子：和导带电子浓度和空穴复合中心浓度有关。
发射电子：和复合中心能级上的电子浓度。
俘获空穴：和复合中心能级上的电子浓度和价带空穴浓度有关。
发射空穴：和空的复合中心浓度有关。
5．漂移运动和扩散运动有什么不同？两者之间有什么联系？
答：漂移运动是载流子在外电场的作用下发生的定向运动，而扩散运动是由于浓度分布不均匀导致载流子从浓度高的地方向浓度底的方向的定向运动。前者的推动力是外电场，后者的推动力则是载流子的分布引起的。
漂移运动与扩散运动之间通过迁移率与扩散系数相联系。而非简并半导体的迁移率与扩散系数则通过爱因斯坦关系相联系，二者的比值与温度成反比关系。即
添加图片注释，不超过 140 字（可选）
6．简要说明pn结空间电荷区如何形成？
答：当p型半导体和n型半导体结合形成pn结时，由于两者之间存在载流子浓度梯度，从而导致了空穴从p区到n区、电子从n区到p区的扩散运动。对于p区，空穴离开后留下了不可动的带负电荷的电离受主，因此在p区一侧出现了一个负电荷区；同理对于n区，电子离开后留下了不可动的带正电荷的电离施主，因此在n区一侧出现了一个正电荷区。这样带负电荷的电离受主和带正电荷的电离施主形成了一个空间电荷区，并产生了从n区指向p区的内建电场。
在内建电场作用下，载流子的漂移运动和扩散运动方向相反，内建电场阻碍载流子的扩散运动。随内建电场增强，载流子的扩散和漂移达到动态平衡。此时就形成了一定宽度的空间电荷区，并在空间电荷区两端产生了电势差，即pn结接触电势差。
7．简要说明载流子有效质量的定义和作用。
答：能带中电子或空穴的有效质量m*的定义式为：
添加图片注释，不超过 140 字（可选）
有效质量m*与能量函数E(k)对于波矢k的二次微商， 即能带在某处的曲率成反比； 能带越窄，曲率越小，有效质量越大，能带越宽，曲率越大，有效质量越小；
在能带顶部，曲率小于零，则有效质量为负值，在能带底部，曲率大于零，则有效质量为正值。
有效质量的意义在于它概括了内部势场的作用，使得在解决半导体中载流子在外场作用下的运动规律时，可以不涉及内部势场的作用。
