n-型半导体，将一部分Si原子置换成P（磷）等的原子↑↑。箭头所指这种电子的形态处于“多余的”状态。这叫自由电子。只要外加电压，就会被吸向 极，变为可自由运动（可通过电流）的状态。
N型半导体含自由电子浓度较高，其导电性主要是因为自由电子导电。在N型半导体中自由电子是多数载流子，主要由杂质原子提供，空穴是少数载流子，由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
n型半导体小总结：n型半导体也称为电子型半导体。n型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。n型半导体就是在单晶硅中掺入5族元素杂质，多子为电子。
②p型半导体
掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷，P是positive的首字母），成为能够导电的物质。
P型半导体，将一部分Si原子置换成B（硼）等原子↑↑。箭头所指是没有电子的“空位”状态。这种空位叫做空穴。也就是说空穴中无实体，也叫虚拟粒子。
在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，这类半导体的导电性主要依赖带正电荷的空穴的迁移。类似的，空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。
P型半导体小总结：P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。p型半导体是掺入3族杂质，多子为空穴。无论是P型还是N型，对外都是中性，不显电性。
③没有自由电子的p型半导体如何导电？
p型半导体的导电原理如下图所示，在外加电压作用下，电子被吸向＋极，移动至附近的空穴。于是，电子移动后空出来的地方成为新的空穴，旁边的电子又会移动。通过如此反复，在电子向 极移动的同时，看上去是空穴向-极移动。在此过程中实际运动的是电子，但是可以将空穴视为带 电荷的粒子。
↑↑看上去是空穴移动，实际是电子在跑路
↑↑p型及n型半导体内电子和空穴在半导体内部的运动示意
④pn结的形成原理
半导体中的载流子的有两种运动：扩散运动和漂移运动，扩散运动是指在电中性的半导体中，载流子从浓度高的区域向浓度低区域的运动；漂移运动是指在电场作用下，载流子有规则的定向运动。扩散的结果是空间电荷变宽，内电场越强，漂移越强，而漂移是空间电荷区变薄。扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间的电荷区厚度固定不变，空间电荷区称为pn结。此时，它是不导电的，当我们加上电压之后....请看下方的视频解说。
