目前，非晶硅阵列基板通用的是5Mask或4Mask工艺，IGZ0金属氧化物阵列基板通用的是5Mask，6Mask或8Mask工艺。
如图1所示为非晶硅或IGZO阵列基板的5Mask工艺，主要用于TN，VA模式，具体步骤包括：
第一道光刻工艺：形成栅电极图形，其主要作为扫描线走线、面板周边配线、端子部金属以及一些标记图案（标记图案用于接下来工序的对位基准)；
第二道光刻工艺：形成半导体图案，即非晶硅岛(或IGZ0半导体层），作为TFT沟道；
第三道光刻工艺：形成源漏金属层，主要包括数据线、TFT源漏电极；
第四道光刻工艺：形成接触孔，主要存在于TFT漏极、跳线处以及端子区；
第五道光刻工艺：形成ITO电极，主要作为像素电极、端子表面电极、跳线连接等。
以上五道Mask相对成熟，良率也较为稳定。
如图2所示为非晶硅或IGZO阵列基板的4Mask工艺，主要用于TN，VA模式。与5Mask工艺不同的是，4Mask工艺将半导体层与源漏金属层采用同一道Mask制作，但是这一道Mask与普通Mask不同，它能对不同位置的光刻胶施加不同程度的曝光量。这种Mask有两种，一种是半色调掩膜板(Half-Tone Mask),另一种是灰阶色调掩膜板(GrayTone Mask)。
4Mask区别于5Mask光刻工艺的步骤主要如下：
第一步：连续沉积非晶硅半导体层（或IGZO半导体层)和源漏金属层，非晶硅层采用CVD沉积（IGZO半导体层采用CVD成膜），而金属层采用PVD成膜。
第二步：涂布光刻胶。
第三步：对不需要金属的区域的源漏金属区的光刻胶进行曝光（不同的曝光量)、显影、刻蚀。金属采用湿刻，而非晶硅采用干刻（IGZO半导体层采用湿刻)。
第四步：对光刻胶进行灰化处理，暴露出沟道区金风，再进行金属湿刻以及n﹢Si干刻，并剥离光刻胶。
4Mask与5Mask相比较主要是少了一道Mask制作以及相应的光刻胶涂布、曝光机显影工艺，因而节省了制作成本。
如图3所示为IGZO阵列基板的6Mask工艺，主要用于VA模式。其具体步骤包括：
第一道光刻工艺：形成栅电极图形，其主要作为扫描线走线、面板周边配线、端子部金属以及一些标记图案（标记图案用于接下来工序的对位基准）；
第二道光刻工艺：形成半导体图案，即IGZO半导体层，作为TFT沟道；
第三道光刻工艺：形成刻蚀阻挡层图案，防止在进行源漏电极湿刻时损伤TFT沟道的IGZO层；
第四道光刻工艺：形成源漏金属层，主要包括数据线、TFT源漏电极；
第五道光刻工艺：形成接触孔，主要存在于TFT漏极、跳线处以及端子区；
第六道光刻工艺：形成像素ITO电极，主要作为像素电极、端子表面电极、跳线连接等。
如图4所示为IGZO阵列基板的8Mask工艺，主要用于FFS模式。其具体步骤包括：
第一道光刻工艺：形成栅电极图形，其主要作为扫描线走线、面板周边配线、端子部金属以及一些标记图案（标记图案用于接下来工序的对位基准)；
第二道光刻工艺：形成半导体图案，即IGZO半导体层，作为TFT沟道；
第三道光刻工艺：形成刻蚀阻挡层图案，防止在进行源漏电极湿刻时损伤TFT沟道的IGZO层；
第四道光刻工艺：形成源漏金属层，主要包括数据线、TFT源漏电极；
第五道光刻工艺：形成第一接触孔，主要存在于TFT极、跳线处以及端子区；
第六道光刻工艺：形成COM-ITO电极，主要作为跳连接COM电极等；
第七道光刻工艺：形成第二接触孔，主要存在于TFT极、跳线处以及端子区；
第八道光刻工艺：形成像素ITO电极，主要作为像素电极、端子表面电极、跳线连接等。
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