设定为600 V,双脉冲测试的波形如图17所示。第一个脉冲宽度为30 μs,第二个脉冲宽度为8 μs。电流设置为25 A。观察到20 ns 的电流下降时间和50 V 浪涌电压。通过拟合结果,模块的杂散电感估计为5 nH。该测试结果证实该模块可以在225°C下运行,高于硅器件的极限。
【文章来源:展至科技】
设定为600 V,双脉冲测试的波形如图17所示。第一个脉冲宽度为30 μs,第二个脉冲宽度为8 μs。电流设置为25 A。观察到20 ns 的电流下降时间和50 V 浪涌电压。通过拟合结果,模块的杂散电感估计为5 nH。该测试结果证实该模块可以在225°C下运行,高于硅器件的极限。
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