电荷检测电路
来源：文献[8]
CCD工作过程示意图
来源：文献[6]
CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS（金属—氧化物—半导体）电容器组成的阵列。在P型或N型硅衬底上生长一层很薄（约120nm）的二氧化硅,再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极（栅极），形成规则的MOS电容器阵列，再加上两端的输入及输出二极管就构成了CCD芯片。
按照像素排列方式的不同，可以将CCD分为线阵和面阵两大类。
线阵CCD每次扫描一条线，为了得到整个二维图像的视频信号，就必须用扫描的方法实现。线阵CCD又分为单沟道线阵CCD和双沟道线阵CCD。
单沟道线阵CCD：转移次数多、效率低。只适用于像素单元较少的成像器件。
双沟道线阵CCD：转移次数减少一半，它的总转移效率也提高为原来的两倍。
线阵CCD
来源：文献[6]
面阵CCD：按照一定的方式将一维线阵CCD的光敏单元及移位寄作器排列成二维阵列。就可以构成二维面阵CCD。面阵CCD同时曝光整个图像。
帧转移面阵CCD——优点：电极结构简单，感光区面积可以很小。缺点：需要面积较大暂存区。
帧转移面阵CCD结构及工作过程
来源：文献[6]
隔列转移面阵CCD——优点：转移效率大大提高。缺点：结构较为复杂。
