神钢电机的i-THOP工艺示意图
近期，大陆的长电科技也提出了一种采用有机物中介层的2.1D封装，称为uFOS（直译：超格式有机载板）层，其金属L/S尺寸可达到2/ 2um 的尺度，相比前一种方案少了芯板层（以玻璃纤维为核心分布金属层，因为核心层绝缘，所以需要通孔穿透核心层），并引入了刚度层以缓解翘曲问题。
长电科技的uFOS工艺示意图
除长电与神钢，日立、日月光和矽品也有在发展2.1D封装，并且该技术并为实现大批量产，为了能获得更高的良率，大厂们试图将尺寸从2μm增大到10μm左右。
4.2 英特尔EMIB：精细金属L/S重布线层硅桥
首先解释一下EMIB这个很多人都见过的英特尔独门武功，它是下面这个词的缩写——embedded multidie interconnect bridge，直译过来就是嵌入式多芯互连桥——多芯互连是作用，嵌入式是指嵌入在了封装载板最上层当中。
EMIB使得多个芯片通过EMIB这个互连区域实现快速信息交互，下图是英特尔FPGA产品的一个示意图，可以和前面的对比。
从上面这张图明显可以看出来和之前一般精细金属L/S的最重要差别，就在于EMIB在需要互连的芯片所连接的第一层就实现了芯片之间的信号互连，这使得多芯片之间可以以更大的带宽进行信息交互；而之前介绍的薄膜层技术则不强调芯片间直接互连。
IBM近来也提出过叫做DBHi的技术方法,也是大同小异，要把这个小异讲清楚篇幅就太长了（而且可能还讲不清），略。
英特尔的EMIB方案
4.3 嵌入式精细金属L/S RDL硅桥 扇出型封装
精细金属L/S RDL硅桥(让芯片之间水平通信)也可以嵌入到扇出型封装的EMC（Epoxy Molding Compound）层中，下图是欣兴电子的一个扇出芯片的方案，易得其与EMIB的主要区别在于，作为互连的硅桥不是直连芯片，而是从EMC层穿过重布线层实现互连的。
欣兴电子的嵌入式硅桥
类似的方案，台积电的版本叫LSI，矽品版本叫FO-EB，日月光的版本叫sFOCoS，安靠叫S-connect fan-out interposer。
4.4 精金属L/S RDL柔性桥接
众所周知，三巨头有四个人，所以最开始两种定义三种形态当然也有第四种方案。
前面第二第三种互连桥都属于刚性桥，它们的重布线层都是制作在硅晶圆衬底上，而第四种则是柔性桥，也就是只有RDL本身。柔性桥由精细金属L/S导体材料与聚合物电介质材料（例如聚酰亚胺薄膜）组成的。
