太阳微系统公司的柔性桥专利
最早的相关专利是美国太阳微系统公司（后来被甲骨文买了）申请的，如上图所示。不像之前的方案，原文没提及其他公司的技术布局情况，可能这个技术的应用面太窄。
值得一提的是，这种方案可以应用于高速高频器件的封装，例如毫米波芯片，对应场景下，聚酰亚胺可以更换成LCP材料，盲猜一个日后5G甚至6G通信芯片时代这玩意能有较多应用。
五、2.3D封装
离大家熟悉的2.5D还差一口气，忍一忍。
从2D看到2.3D，最开始的定义可能已经有人记不起来了，2.3D就是芯片和载板之间，还有额外的中介层，而不是像2.1D一样在载板表层或内部整了些花活；同时这个中介层还不能有TSV硅通孔，否则就是2.5D了。
2.3D封装中，基本结构还是【精细金属L/S板or嵌入式互连桥】等起到转接作用的部分与【封装载板/HDI载板】的组合，但却是各自分开做好，然后通过专用的键合板和焊点实现连结的，由于精细金属L/S基板可以单独与临时的玻璃晶片或面板一起制作，因此它的工艺尺寸可以缩小到2um，且产量、良率均优；相比2.1D封装，2.3D封装的互连密度和电气性能更上一台阶。
目前有三种主流的2.3D封装，其对比表格如下：
特性 | 2.3D封装家族 | ||
SAP/PCB | Fan-out Chip-first | Fan-out Chip-last | |
芯片尺寸 | 还蛮大的 | 一般 | 大 |
封装尺寸 | 大 | 一般 | 大 |
金属L/S参数 | ≥8μm | ≥5μm | ≥2μm |
RDL层数 | ≤10 | ≤4 | ≤6 |
允许晶圆凸点焊连 | Yes! Yes! Yes! | No! No! No! | Yes! Yes! Yes! |
允许芯片-RDL键合 | Yes! Yes! Yes! | No! No! No! | Yes! Yes! Yes! |
允许底部填充 | Yes! Yes! Yes! | No! No! No! | Yes! Yes! Yes! |
工艺步骤数 | 更多 | 更少 | 更多 |
性能 | 一般 | 强得很 | 强无敌 |
成本 | 贵得很 | 一般 | 贵得很 |
应用领域 | 中端性能 | 高性能 | 旗舰性能 |
表格没看懂的不要急，后面还有进一步解释：
5.1 传统SAP/PCB 法
这里SAP/PCB是指转接层的工艺，PCB大家都知道，这里解释一下SAP，SAP=semi-additive process，即半加成法工艺，与之相对的是减成法和（全）加成法：
- 减成法：先在有机材料衬底上镀铜，通过把铜层上不需要的部分去掉，剩下的就是线路部分；
- 加成法：直接在有机材料衬底上选择性沉积出需要的铜线路；
- 半加成是折中，先镀一层铜，再一层铜，第二次镀铜时对不需要形成线路的地方进行处理，使得第二次镀铜时不会波及这些区域。
之所以叫传统xx法，是因为他工艺本就比较成熟，不多讲了，上图比较形象：
神钢的2.3D封装方案
这是神钢的2.3D方案，使用了SAP法制作的无芯封装载板，好处是相比之前EMIB之类的嵌入式转接模块的成本更低，但因为没有玻璃纤维的中心层，所以有额外的翘曲问题。
思科的2.3D封装方案
然后第二个图示是思科的有机中介层的方案，算是一个规模较大的chiplet设计和异质集成（新坑预警），这个中介层内部具备有机材料中心结构，除此外一共有12层结构，所以可别小看电路板，要复杂起来科技含量也不低的。
5.2 chip first/last的扇出封装
Chip first或last是指先用EMC把芯片给包了然后再做完RDL层，还是先做了RDL层然后把EMC包好的芯片贴上。这里也给几个方案示例。
日月光的chip-first扇出型2.3D封装
