mos 管原理通俗理解,什么是mos管通俗解释

首页 > 经验 > 作者:YD1662024-03-27 12:14:07

(2)VGS》0时,在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场,排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通,形成导电沟道。   

VGS》0→g吸引电子→反型层→导电沟道   VGS↑→反型层变厚→VDS↑→ID↑

  (3)VGS≥VT时而VDS较小时:

  VDS↑→ID↑

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VT:开启电压,在VDS作

  用下开始导电时的VGS°

  VT=VGS—VDS

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(4)VGS》0且VDS增大到一定值后,靠近漏极的沟道被夹断,形成夹断区。

  VDS↑→ID不变

mos管三个极分别是什么及判定方法

  mos管的三个极分别是:G(栅极),D(漏极)s(源及),要求栅极和源及之间电压大于某一特定值,漏极和源及才能导通。

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1.判断栅极G

  MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率,MOS管发烧严峻,易热损坏MOS管GS间存在一定电容,假如G信号驱动能力不够,将严峻影响波形跳变的时间。

  将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,并且交换表笔后仍为无限大,则证实此脚为G极,由于它和另外两个管脚是绝缘的。

  2.判断源极S、漏极D

  将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。因为测试前提不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。

  3.丈量漏-源通态电阻RDS(on)

  在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。

  测试步骤:

  MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。

  其步骤如下:

  假如有阻值没被测MOS管有漏电现象。

  1、把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大,则MOS管漏电,不变则完好

  2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,假如指针立刻返回无限大,则MOS完好。

  3、把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无限大。

  4、用一只100KΩ-200KΩ的电阻连在栅极和漏极上,然后把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,这时表针指示的值一般是0,这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极电场,因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通,故万用表指针偏转,偏转的角度大,放电性越好。

MOS管(场效应管)的应用领域

  1:工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源

  2:新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机

  3:交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车

  4:绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器   

MOS管降压电路

  图中Q27是N沟道MOS管,U22A的1脚输出高电平时Q27导通,将VCC—DDR内存电压降压,得到1.2V—HT总线供电,而U22A的1脚输出低电平时Q27截止,1.2V_HT总线电压为0V。

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