（2）VGS》0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。
VGS》0→g吸引电子→反型层→导电沟道
VGS↑→反型层变厚→VDS↑→ID↑
（3）VGS≥VT时而VDS较小时：
VDS↑→ID↑
VT：开启电压，在VDS作
用下开始导电时的VGS°
VT=VGS—VDS
（4）VGS》0且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。
VDS↑→ID不变
mos管三个极分别是什么及判定方法 mos管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极）s（源及），要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通。
1.判断栅极G
MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用：假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，假如G信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间。
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，并且交换表笔后仍为无限大，则证实此脚为G极，由于它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判断源极S、漏极D
将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。因为测试前提不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通态电阻RDS（on）
在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
测试步骤：
MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。
其步骤如下：
假如有阻值没被测MOS管有漏电现象。
1、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好
2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。
3、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。
4、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。
MOS管（场效应管）的应用领域1：工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源
2：新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机
3：交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车
4：绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器
MOS管降压电路 图中Q27是N沟道MOS管，U22A的1脚输出高电平时Q27导通，将VCC—DDR内存电压降压，得到1.2V—HT总线供电，而U22A的1脚输出低电平时Q27截止，1.2V_HT总线电压为0V。
