1873 年，科学家约瑟·美(Joseph May)及伟洛比·史密夫(WilloughbySmith)就发现了硒元素结晶体感光后能产生电流，由此，电子影像发展开始，随着技术演进，图像传感器性能逐步提升。
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一、 图像传感器的历史沿革20 世纪50 年代——光学倍增管(Photo Multiplier Tube，简称PMT)出现。
1965年-1970年，IBM、Fairchild等企业开发光电以及双极二极管阵列。
1970年，CCD图像传感器在Bell实验室发明，依靠其高量子效率、高灵敏度、低暗电流、高一致性、低噪音等性能，成为图像传感器市场的主导。
90年代末，步入CMOS时代。
▲图像传感器的历史沿革
1、光电倍增管
光电倍增管（简称PMT），真空光电管的一种。工作原理是：由光电效应引起 ，在PMT入射窗处撞击光电阴极的光子产生电子，然后由高压场加速，并在二次加工过程中在倍增电极链中倍增发射。
光电倍增管是一种极其灵敏的光检测器，可探测电磁波谱紫外，可见和近红外范围内光源，提供与光强度成比例的电流输出，广泛应用于验血，医学成像，电影胶片扫描（电视电影），雷达干扰和高端图像扫描仪鼓扫描仪中。
▲光电倍增管
2、CCD
CCD全称为Charge Coupled Device，中文翻译为”电荷藕合器件”。它使用一种高感光度的半导体材料制成，能把光线转变成电荷。因而具有灵敏度高、抗强光、畸变小、体积小、寿命长、抗震动等优点。CCD是电子设备， CCD在硅芯片（IC）中进行光信号与电信号之间的转换，从而实现数字化，并存储为计算机上的图像文件。
数字成像始于1969年，由Willard Boyle和George E. Smith于AT＆T贝尔实验室发明 。 最初致力于内存→“充电’气泡’设备”，可以被用作移位寄存器和区域成像设备 。
2009年， Willard Boyle和George E. Smith获得诺贝尔物理学奖 。
1997年，卡西尼国际空间站使用CCD相机（广角和窄角） 。 美国宇航局局长丹尼尔戈尔丁称赞CCD相机“更快，更好，更便宜”；声称在未来的航天器上减少质量，功率，成本，都需要小型化相机。而电子集成便是小型化的良好途径，而基于MOS的图像传感器便拥有无源像素和有源像素（3T）的配置。
3、CMOS图像传感器
CMOS全称为ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，中文翻译为互补性氧化金属半导体。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别，主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N(带–电)和P(带 电)级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。
CMOS图像传感器使得“芯片相机”成为可能，相机小型化趋势明显 。
