形成离子键的条件,离子键的形成过程可以怎样表示

首页 > 企业招商 > 作者:YD1662023-11-07 22:07:16

超低能(ULE)离子注入越来越多地应用于2D材料的改性,特别是用于石墨烯的替代掺杂和嵌入。无论是否需要,注入导致的缺陷都会对石墨烯的特性产生强烈影响。对空位相关缺陷进行了大量研究,然而,在ULE极限下,即对于低于空位形成阈值的能量,离子辐照引起的无序仍然知之甚少。在这里,本文专注于该机制,并报道了由C–Csp2键断裂和C-衬底键形成引起的缺陷的形成。作为模型系统,使用在Cu(111)和Pt(111)上生长的外延石墨烯,随后注入能量在15eV和40eV之间的He、Ne和Ar。发现键缺陷密度随着注入元素的能量和原子序数的增加而增加。这些发现大大推进了我们对ULE离子注入在石墨烯中诱导的无序的理解,同时揭示了利用这种键缺陷进行物理或化学功能化的潜力。特别地,这些键缺陷可以以高度选择性产生,因为它们发生在低能极限(至少低至15eV),显著低于形成稳定空位所需的能量。

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