2 大功率半导体模块封装面临的挑战
目前，世界各国都在发展低碳经济，实现电气化清洁能源、高效的能量转换等成为能源行业不断追求的目标，电力电子系统的应用和性能对上述目标的实现具有重要作用。其中，功率半导体模块是能量传输、转换和控制应用等电力电子系统的核心器件，其性能、可靠性和成本对整个系统具有关键影响。随着新兴行业 （如电动汽车、新能源、 HVDC 系统、多电飞机等）对电力电子系统要求的提升，大功率半导体模块的封装面临着以下挑战。
2.1 先进封装与产品成本的矛盾
在提升模块的功率密度、工作温度和可靠性等方面，业界已经开发并储备了一系列的先进封装方案和技术，并且一直在探索和完善之中，如新型互连与烧结工艺、高温灌封、压力接触、双面冷却等。相比于传统的封装结构和技术，这些先进方案和技术都在一定程度上增加工艺的复杂性、降低可制造性，并影响成品率，从而导致模块产品的成本增加。表 3 是当前主要先进技术的优势及其对产品制造和成本的影响。对功率模块供应商来说，需要根据客户的具体需求，通过结构、先进技术和材料的优化组合，开发相应的产品。
2.2 高频封装与回路寄生电感
回路存在杂散寄生电感是提高开关频率的最大障碍，也是栅极误导通的主要原因。模块间主回路寄生电感和模块内各芯片栅极回路寄生电感的不均匀，将导致模块和芯片不均流，从而引发失效。高开关频率是先进 Si 基和新型宽禁带 （WBG） 功率器件的主要优势之一，也是电力电子系统用户追求的主要目标之一。对功率模块而言，为降低开关损耗，减小功率回路和栅极回路的寄生电感、保证各芯片栅极回路电感的均衡 ， 是当 前 及 下 一 代 封 装 技 术 面 临 的 主 要 挑 战 之一[65-67]。表 4 是功率模块寄生电感的来源及其对性能的影响。
2.3 高温封装技术
Si 基 IGBT 芯片的最高工作温度为 200 ℃以上，而第三代 WBG 器件的工作 Tj 则可达 300 ℃以上。然而，受封装技术限制，目前主流功率模块产品的最高结温Tj max仍然被限制在 175 ℃。提高 Tj可降低对模块封装结构、材料热特性和散热能力的要求，但对高温封装技术和耐高温材料的选择提出了更高的挑战。因此，高温封 装 技 术 一 直 是 业 界 重 点 关 注 和 研 发 的 方 向 之一[67-69] ，表 5 为目前高温封装技术所面临的挑战及其技术解决方案。随着先进互连和连接技术的发展，封装技术将不再是高温封装的主要限制，而新型高温材料则成为提高模块 Tj的关键因素。
