650 V 功率 GaN HEMT 器件主要应用在功率较低的领域，如消费电子、汽车充电机和 DC-DC 变换器等，其产品形式主要是分立器件。由于大功率的电机驱动应用尚不成熟，新型的 GaN 封装形式仍未形成，主要是采用传统的 IGBT 模块结构和技术，如 VisIC、GaN Systems 等公司的产品[58-62]。目前，GaN HEMT 芯片表面金属化布局不适用于平面互连，一般都采用引线键合形式，当应用于超高频率时，降低寄生电阻、电感和电容，实现芯片间栅极回路寄生参数均衡和动态均流都是需要重点考虑的问题。此外，对平面导电器件，还需关注背面接地设计。
1.6 新型航空功率半导体模块
航空功率系统是功率半导体器件新兴应用领域之一，随着世界范围内清洁太空计划的推进，多电飞机（More Electric Aircraft，MEA） 的研发日渐增多。MEA已经成为航空科技的重要发展方向，它将机载二级能源系统 （如液压、气动能源系统） 由电力系统替代，从而提高燃油经济性、实现轻量化、提高可靠性和可维护性。MEA 的电力系统包含发电、配电和用电等一系列 功 率 等 级 不 同 的 AC/DC、 DC/AC 系统 。 目前 ，MEA 的标准直流系统电压是±270 V，并有提升到±540V 的趋势。鉴于 MEA 对系统效率、体积和重量等方面的要求，1 200 V SiC MOSFET 成为航空应用的主流器件，随着直流电压的提升，1 700 V 或三电平 1 200 V SiC 模块将逐渐得到应用。
2022 年，Microchip 公司推出了航空标准 1 200 VSiC 模块 BL 系列，具有多种拓扑结构，电流最高达到145 A，可以满足 0.1~20 kW 的各种电源系统。图 15 是BL 系列模块的典型外观、尺寸和性能参数。该系列模块采用厚铜 Si3N4 衬板、应力缓解结构母排端子设计、无基板结构，具有体积小、重量轻[63]等优点，图 16 是该系列模块的内部结构图。图 17 是中车时代半导体开发的 1 200 V 三电平中点箝制 （Neutral Point Clamped，NPC） 航空 SiC 功率模块，输出电流有效值/功率为 250A/100 kW，主要优点是优化了各主电流回路的寄生电感 ， 实现 了 主 电 流 回 路 寄 生 参 数 均 衡 ， 以及 芯 片栅极 回 路 的 电 感 均 衡[64] 。 目前 ， 航空 功 率 模 块 产品的 验 证 标 准 还 没 有 建 立 ， 一般 参 照 航 空 系 统 标准 RTCA/DO-160G，如高湿高温(95±4)%RH，长时间过压 170 kPa，15 s 内快速减压 63.66 kPa，以及机械冲击和振动等方面的标准，其余验证标准参照工业级模块[63]。
