上一期我们讲到了，很多网友就在微信留言说现在DDR4都快普及了还用小编讲DDR2？其实不然，想参透一样东西都是需要了解其升级演变的过程才能更系统的学到一些知识，小编我也是和大家一起学习，毕竟科技总在不断的发展，学到老活到老嘛。如果觉得学到了可以收藏以及转发給需要的朋友们。
DDR3内存自从2007年服役以来，至今已经走过了8个年头，而它的接替者DDR4内存才刚刚步入零售市场，虽然DDR3的性能已经足够强劲，可作为电子产品似乎没有不更新换代的理由。DDR4的起跳频率仅为2133MHz，还没上市就遭到网友们的吐槽，频率低CL值高都是重点吐槽对象。
DDR4现在仅仅可以桌面旗舰级的X99平台上得到了支持，这么一套平台价格不菲，一套4通道内存下来便宜的也要2000块钱，而且还是2133MHz的，只能算是入门，而高端的3000MHz价格更是高的离谱，购买X99平台的用户不得不被绑架购买昂贵的DDR4内存。
假如Haswell-E真的同时支持DDR3和DDR4，那么选择DDR3还是DDR4呢？也许有人说钱多买DDR4，钱少选择DDR3，这不失为一个选择，但英明的用户会选择性能更强的。
每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。
DDR4与DDR3内存差异：外型
DDR4金手指变化较大
大家注意上图，宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。虽然标准规定最低是DDR4-1600，但从实用角度讲，起步怎么也得DDR4-2133，最高则是DDR4-3200。新内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。
DDR3、DDR4内存条外观对比：除了内存颗粒封装形式、DIMM类型不变之外，
DDR4的外观有了很大的变化。
1、DIMM内存条的长度维持133.35±0.15毫米不变，但是高度从30.35±0.15毫米略微增加到31.25±0.15毫米。SO-DIMM笔记本内存条的长度从67.6毫米增至68.6毫米，高度变化同上。
2、内存条厚度从1.0毫米增至1.2毫米，主要是因为PCB层数增多了。
3、针脚数量，DIMM的从240针增至284针，同时针脚间距从1.0毫米缩短到0.85毫米，总长度基本不变。SO-DIMM的从204针增至256针，同时针脚间距从0.6毫米缩短到0.5毫米，因为针脚增加更多、间距缩小却更少，总长度有所增加，故而内存条也变长了1毫米。
4、金手指底部之前一直都是平直的，DDR4却是弯曲的，其中两头较短、中间较长，这样主要是为了更方便插拔。金手指缺口的位置也和DDR3的不一样了，以防止插错。
5、内存条上的数据还从也从1个大幅增加到了9个。
另外就是其它参数的改变，比如容量和电压。
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。
而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。
编辑:Tom
资料来源：网络
欢迎订阅青年科技的头条号（并将订阅窗口移到最前就可以第一时间看到我们的文章）
