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再加上，华为已经开始基于RISC-V架构研发芯片，并基于该架构研出了电视芯片等产品，并正式投产使用，未来还有更多新的芯片出现。（电子半导体行业动态）

3、传三星将在下周全球率先量产3nm芯片

韩联社6月22日报道称，消息人士透露，三星将在下周对外公布，率先量产环绕闸极技术(GAA，Gate-all-around)架构的3nm制程。3nm芯片确定量产后，三星电子将在先进芯片制造技术方面超越竞争对手台积电。

实际上，6月21日韩国媒体BusinessKorea就曾报道称，由于良率远低于目标，三星3纳米芯片量产将再延后。但22日上午，三星否认了这一传言。

5月20日，美国总统拜登访韩，三星电子展示GAA 3nm制程技术，图源：韩联社

据悉，GAA工艺与现有的FinFET工艺相比，可减少芯片面积和消耗的电力，更加准确地控制电流。目前FinFET工艺仅能接触到晶体管的三面，GAA工艺对半导体晶体管结构进行改进，使栅极可接触到晶体管的四面。

此外，与5纳米工艺相比，三星3纳米工艺将半导体性能和电池效率分别提高了15%和30%，同时芯片面积减少了35%。

韩美两国*签署的3纳米半导体晶圆原型，图源：韩联社

此前TrendForce的研究数据显示，三星电子2022年第一季度的代工销售额为53.28亿美元，较去年第四季度下降3.9%，也是全球前十大代工厂中唯一一家在第一季度销售额落后的厂商。

业界相关人士称，三星量产基于GAA工艺的3纳米芯片后，若能保持稳定的良品率，晶圆代工市场的版图或将重新改写。（今日芯闻）

4、三星3nm下周量产！性能提升35% ！

6月22日消息，尽管台积电过去几年在7nm、5nm、4nm等先进工艺上占尽优势，但是三星一直在努力追赶，3nm节点将成为三星的一次关键，韩国媒体称三星将在下周宣布3nm工艺量产，进度将领先台积电。

据韩联社消息，接近三星的消息人士称，三星计划在6月最后一周宣布量产3nm工艺的消息，届时三星将会成为全球第一个量产3nm工艺的半导体厂商，台积电的3nm计划是2022年下半年量产。

5月底，美国总统参观了三星位于平泽市附近的芯片工厂，这里是目前全球唯一一个可以量产3nm工艺的晶圆厂，三星首次公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆，不过具体是哪款芯片还不得而知。

根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。（中国半导体论坛）

3、美国经济接近“马斯克衰退”

美国经济可能已经处于“马斯克衰退”的边缘，通胀带来的政治压力是当前联储最关注的问题，货币决策仍由通胀压力和NBER衰退时间所决定。这一次劳动力供给不足，衰退对企业利润和资本回报的伤害更加显著，这是滞胀和传统衰退周期的不同之处。

在6月6日-6月9日由芝加哥大学布斯商学院发起的针对美国经济的调查显示，近70%的经济学家均认为，美国经济将陷入衰退。大多数对美国经济衰退时点的预测落在了2023或2024年，但是马斯克在今年5月一场科技会议时认为，“美国经济可能正处于一轮衰退之中，持续1年到1年半的时间”。马斯克所说的经济衰退有没有可能已经出现了呢？

首先，对于衰退有不同的定义。按照一些教科书的定义，“连续两个季度实际GDP环比负增长即为衰退”，这种定义虽然容易理解，但存在两个问题。一是需要季度数据确认，衰退时间跨度至少持续两个季度，二是容易把经济过热后的周期性回落误判为衰退。