海力士CJR颗粒
是SK海力士Hynix C-die颗粒，是继MFR、AFR之后的第三代8Gbit颗粒。
采用1X nm（通常为18nm)制程，由于型号“H5AN8G4NCJR”等后缀为CJR的颗粒，所以也称CJR颗粒。
CJR颗粒体质好，更重要的是对近年来大火的锐龙平台兼容性非常好，上3600MHz轻轻松松，因此成了DIY玩家，特别是AMD平台玩家的宠儿。
除此以外海力士还推出了更新一代的JJR（J-die）颗粒，但这个颗粒是为了取代此前的MFR和AFR颗粒，超频体质稍微不如CJR颗粒。
简单总结一下，目前市场主流的海力士颗粒中，以体质排序CJR>JJR>AFR>MFR,当然不排除有个别体质好的特例能以下犯上。
三星
三星内存颗粒早在DDR3时代就非常能超，在DIY圈建立了口碑，DDR4时代亦是如此，这里就不得不提到三星B-die这个颗粒了。
三星B-die是DDR4时代的超频传奇，大部分为20nm制程，无数内存超频记录都是由他完成，是DIY玩家心中的极品颗粒。
三星B-die对AMD和Intel兼容性都很好，在Intel平台达到4000MHz以上频率更是基本操作，时序还很低，深受玩家喜爱。
不过我们常说的B-die颗粒，其实是特指K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB后缀系列中的BCBP颗粒。
这些颗粒是被特挑出来专门做旗舰内存的，所以更准确地说体质好的应该叫特挑B-die。
剩下的普通B-die 体质虽然也很不错，但是不具备有挑战超频记录的实力，还有一种边角料的B-die ，这些就是体质最差的B-die了。
不过遗憾的是三星上年宣布停产B-die颗粒，一代传奇就此落幕。
现在市面上已经越来越难买到三星B-die颗粒的内存了，有也是之前内存厂商屯起来用于制造旗舰产品，价格昂贵。
接替B-die颗粒的是三星A-die和M-die，新的颗粒提升了密度，单颗容量更大，让成本降低，方便制造单条32GB或更大的内存。
而根据三星所说A-die超能能力与B-die一致甚至更好，容量更大，M-die则次一点。
但是这么好的颗粒三星主要用于专业市场和服务器市场，消费市场还没排到，可能等产能上去了我们普通消费者才能接触到了。
