1.mosfet的栅极与衬底之间用二氧化硅绝缘层绝缘，形成电容器的两个极板。在电容两端施加电压，栅极施加正电压，栅极上聚集正电荷，并且排斥衬底的空穴向下运动，同时吸引衬底的自由电子往上运动，形成一个自由电子通道（N型薄层）。N型薄层与衬底的交界处也存在PN结。在源极Source和漏极Drain施加电压，漏极接电源的正极，源极Source接电源负极，这样N沟道场效应晶体管的两个N型区的自由电子可以沿着薄层导通。如果电容电压越大，沟道越宽，那么漏极Drain的电流就越大。当源漏极电压增大时，漏极N区与衬底间P区的PN结也会增大，从而关闭通道。这就是mosfet的工作原理。
2.硅是四价元素，掺杂三价硼，形成P型材料，就会出现空穴，也就是正电荷，是可以自由移动的。硅中掺杂五价元素磷，也就形成N型材料，会出现更多的负电荷。把更多的叫多数载流子。当给栅极G加上一个正电压，把P型材料衬底接地的时候，就会产生电势差，就会把P型材料衬底的少量负电荷吸引过来，我们把它叫做沟道，这时候在源极Source和漏极Drain之间形成沟道，这是一个布满负电荷的沟道。源极的电子给到沟道左边，沟道的右边再给漏极一个，这样漏极Drain和源极Source之间就产生了电流，晶体管就导通了，就开始工作了。通过控制场效应晶体管栅极电压的大小，可以控制MOSFET的打开与关闭。
3.MOS管电路图识别引脚，中间是D极，左边是G极，右边是S极。箭头指向G极的是N沟道MOS管，箭头背离G极的是P沟道MOS管。
4.在电源内部，电流方向是从电源的负极到正极，电场方向是从电源的正极到负极；在电源外部，电流方向是从电源的正极到负极，电场方向是从电源的正极到负极，负电荷在电场中逆电场线运动。
5.PN结是没有多数载流子和电子的。
6.MOSFET一般是源极接地，漏极接电源的正极，P型半导体衬底也接地，栅极G极施加正电压。一般源极Source和衬底B极在场效应晶体管内部连接。源极把电子提供给沟道，漏极从沟道中收集电子。
五爪金龙
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