时至今日,海思半导体实际上已经成为中国自主芯片设计的代表,其涉及领域包含SoC芯片、5G通讯芯片、AI芯片、服务器芯片、其他专用芯片五大类,其中就包含我们熟知的手机SoC麒麟芯片。
华为在芯片方面的努力的确让它度过了去年ARM停止和华为及其附属公司的所有业务往来的难关,其相关核心技术的掌握和完整知识产权让华为具备了自主研发ARM处理器的能力,不受外界制约。
那么,为何这次封*华为就无法度过呢?原因在于华为擅长的是芯片设计,而不是芯片制造。半导体是一个非常庞大的产业,目前只有极少数的芯片巨头掌握从设计、制造、封装、测试的整个链条,因为仅其中的一个环节就需要庞大资金投入和时间投入,比如生产芯片必备的光刻机,主要生产厂商荷兰ASML的成功就是西方世界无数寡头和财团用经费鼎力支持烧出来的,更别说整个链条的消耗,分工合作也就成了自然而然的事情。
实际上除了三星,目前手机厂商基本都不具备芯片制造的能力,除了华为,我们熟知的高通、苹果也都是擅长于芯片的设计,后大多交由当前的芯片生产巨头台积电去生产。但问题在于,其美国技术占比很高,14nm和7nm工艺美国技术占比就在15%以上。在美国芯片禁令下,台积电并没有自由选择客户的主动权,这也正是华为被封*后台积电不能为其生产芯片的原因。
那么,我国就没有一家拥有自主知识产权,并且能为华为生产芯片的芯片制造商吗?还真没有。有消息称,如果完全不用美国的技术,国内能够独立自主制造28nm光刻机,同时也具备28nm至14nm工艺芯片制造能力。但显然有这些还不够,当前主流芯片已经进入5nm的阶段。
好在自芯片禁令爆发之后,我国的芯片制造业的发展并非一潭死水,而是呈现出一片欣欣向荣的态势。虽然市场的空缺也引发了不良投机者的圈钱骗补,但总归有行业担当让我们看到了希望。比如芯动科技近日宣布其已经完成全球首个基于中芯国际FinFET N 1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过。
据悉,中芯国际FinFET N 1工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺相近,相比于14nm性能提升20%,功耗降低57%。虽然还没有达到业界公认的35%性能提升,但总归是实现了类7nm工艺的生产。当然,后续的FinFET N 2工艺性能会有所提升,未来可期。
所以芯片禁令也并非完全是件坏事,它至少为我国半导体事业的发展敲响了警钟。当然芯片制造的发展也并非是想做就能一蹴而就的,它需要持续的重资本投入和时间的验证。至于何时能赶上国际一流水平,“让子弹飞一会儿”吧。
写在最后
“对于华为来说,不管处境多么艰难,我们都承诺持续展开技术创新,将最佳的技术和创新带给消费者,提升人们的生活,提升大家的工作效率。我们将信守承诺。”面对逆势的大环境,余承东在发布会末尾这样回应。而麒麟9000,以及搭载它的华为Mate40系列,无疑是对这份承诺的最佳兑现。
也许麒麟9000会成绝响,但进取的心不会。