“双向可控硅”：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
两极双向可控硅用万用表测量好坏
方法一： 测量极间电阻法。将万用表置于皮R&TImes;1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R&TImes;10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆 时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；如果测得T1－G之间的正反向电阻很大（接近∞）时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。
方法二： 检查触发导通能力。万用表置于R&TImes;10档：①如图，1（a）所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1（或T2）短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分（其中一个单向可控硅）是好的，如图1（b）所示，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1（或T2）短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分（其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向（在不同极性的触发电压证）均能触发导通。
方法三：检查触发导通能力。如图2所示．取一只10uF左右的电解电容器，将万用 表置于R&TImes;10k档（V电压），对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2（b）连接好后进行测试。测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二’相同，就证明双向可控硅是好的。
双向可控硅触发电路
双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通。由于采用过零触发，因此上述电路还需要正弦交流电过零检测电路。
1 过零检测电路
电路设计如图1 所示，为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
