早期低Vgs（th）的MOSFET几乎没有，所以一般我们需要用单片机控制电源通断的电路都需要先通过一个三极管转成高压控制信号再控制MOSFET。但是随着低Vgs（th）的MOSFET的普及，可以直接对MOSFET进行控制。
4、结电容
因为是半导体，就有PN结，有PN结，就有结电容。当然根据我们刚刚的方法，先不管微观模型。我们先从宏观上看一下结电容等效到MOSFET三个电极之间的等效电容。
尽管结电容的容量非常小,对电路稳定性的影响却是不容忽视的，处理不当往往会引起高频自激振荡。更为不利的是,栅控器件的驱动本来只需要一个控制电压而不需要控制功率,但是工作频率比较高的时候,结电容的存在会消耗可观的驱动功率，频率越高,消耗的功率越大。
这也就是我们通常认为，MOSFET的GS两极之间是一个高阻值的电阻，但是在设计开关电源的时候，我们通常需要加粗Gate极的PCB走线。保障在开关的过程中，驱动MOSFET的瞬间电流比较大，有足够的通流能力。这正是因为极间等效电容的存在。
当然这个过程不简简单单是对电容进行充电，还存在更复杂的过程。我们在后续的内容进行讲解。敬请期待。
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