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文|小昕
编辑|小昕
前言随着半导体器件技术的不断进步，同质结GaN发光二极管（LED）已成为现代光电子器件领域的重要组成部分。同质结GaN LED具有许多独特的优点，如高效率、长寿命、低功耗和快速开关速度，使其在照明、显示、通信和生物医学等应用中具有广泛的潜力。
下面我们将对同质结GaN发光二极管的可见光和紫外光电致发光进行深入分析。
介绍阻止通过MOVPE获得低电阻率GaN:Mg的受体补偿机制可能与MOVPE生长期间产生的Mg-H络合物有关,由于大的活化能和这些复合物的形成，还需要p型层的后生长处理，或者通过低能电子束照射或通过在N2环境。
尽管有活化处理，深能级中心或复合物的存在已经通过深能级瞬态光谱在高度掺杂的p型GaN中得到证实，光电容，和光致发光(PL)。
掺镁层的光致发光光谱显示在430nm(2.8eV)附近有一个宽带，包括这些深中心。p-n同质结MOVPEGaNLEDs的电致发光(EL)光谱中的主要发射实际上可能发生在该波长处，从而导致比材料的固有能力低得多的效率。
作为比较，Nichia的共掺杂InGaN:Zn、Si/AlGaN双异质结构(DH)二极管也表现出很深的发射。然而，由于使用了不同的p掺杂剂和有效的激活，这些器件提供了强烈的蓝光和蓝绿光，因为它们的操作不受深能级有害效应的影响。
