这种依赖性对于像GaN这样的宽带隙材料来说是预期的,并且对于β-SiC中的离子注入p-n结已经有报道。在我们的例子中,隔离器可能位于非理想p欧姆接触下方,其长度估计约为150。在这种情况下,串联电阻随着电压从5V时的50ω下降到10V时的10ω。
不幸的是,由于这种限制,当二极管发光时(电压高于3V),我们的器件中的I-V特性不能提供关于结中涉及的电流机制的信息,因此可能发生隧穿、产生-复合和/或扩散过程。
电致发光光谱响应和L-I特性为了研究其电致发光特性,二极管由Keithley220直流可编程电流源和能够提供50MHz带宽电压脉冲的HP8116A函数发生器激励。使用锁定技术,用高分辨率HTR-1000Jobin芮伟航单色仪和GaAs光电倍增管测量EL光谱。白光也由紫外增强硅光电探测器探测到。
对于直流和交流激励,已经研究了在增加电压下EL光谱的演变,除了在直流操作下更明显的热效应之外,两者产生相似的行为。在不同交流偏压条件下记录的EL光谱如图3所示。在低偏压下,观察到宽的蓝移可见带,而在高电压下,尖锐的UV峰成为主导。
此外,在低偏压下完全不存在的560nm处的典型黄色带(YB)通过电流注入而增强。在光谱中看到的振荡模式是由于法布里-珀罗干涉。
由于内部光吸收,线型在高能量下突然降低。已经从结的p侧和n侧记录了EL光谱,后者更强,因为光主要产生在上接触下面。p-GaN还会轻微地重新吸收紫外光,因为对于n侧发射,紫外光与可见光之比稍大一些。