mos管的结构图
当漏源电压（VDS）连接在漏极和源极之间时，正电压施加到漏极，负电压施加到源极。在这里，漏极的 PN 结是反向偏置的，而源极的 PN 结是正向偏置的。在这个阶段，漏极和源极之间不会有任何电流流动。
如果我们将正电压 (VGG ) 施加到栅极端子，由于静电引力，P衬底中的少数电荷载流子（电子）将开始积聚在栅极触点上，从而在两个 n 区域之间形成导电桥。
在栅极接触处积累的自由电子的数量取决于施加的正电压的强度。施加的电压越高，由于电子积累而形成的 n 沟道宽度越大，这最终会增加电导率，并且漏极电流 (ID ) 将开始在源极和漏极之间流动。
当没有电压施加到栅极端子时，除了由于少数电荷载流子而产生的少量电流外，不会有任何电流流动。mos管开始导通的最小电压称为阈值电压。
N沟道mos管的构造
以N 沟道 mos管为例子来了解mos管工作原理。取一个轻掺杂的P型衬底，其中扩散了两个重掺杂的N型区域，作为源极和漏极。在这两个 N 区域之间，发生扩散以形成 N 沟道，连接漏极和源极。
N沟道mos管的构造图
在整个表面上生长一层薄薄的二氧化硅 (SiO2 )，并制作孔以绘制用于漏极和源极端子的欧姆接触。铝的导电层覆盖在整个通道上，在这个SiO2层上，从源极到漏极，构成栅极。SiO 2衬底连接到公共或接地端子。
由于其结构，mos管的芯片面积比 BJT 小得多，与双极结型晶体管相比，其占用率仅为 5%。
N沟道mos管（耗尽型）的工作原理
首先，我们认为在栅极和沟道之间不存在 PN 结。我们可以观察到，扩散沟道N（两个N 区域之间）、绝缘介质SiO 2和栅极的铝金属层共同形成了一个平行板电容器。
如果 Nmos管必须工作在耗尽模式，则栅极端应为负电位，漏极为正电位，如下图所示。
mos管在耗尽模式下的工作原理图
当栅极和源极之间没有施加电压时，由于漏极和源极之间的电压，一些电流会流动。让一些负电压施加在VGG上。然后少数载流子即空穴被吸引并在SiO2层附近沉降。但是多数载流子，即电子被排斥。
在VGG处具有一定量的负电位时，一定量的漏极电流ID流过源极到漏极。当这个负电位进一步增加时，电子被耗尽，电流ID减小。因此，施加的VGG越负，漏极电流ID的值就越小。
靠近漏极的通道比源极（如 FET）消耗得更多，并且由于这种效应，电流会减少。
N沟道mos管的工作原理（增强型）
如果我们可以改变电压VGG的极性，相同的mos管可以在增强模式下工作。因此，我们考虑栅极源极电压V GG为正的mos管，如下图所示。
mos管在增强模式下工作原理图
当栅极和源极之间没有施加电压时，由于漏极和源极之间的电压，一些电流会流动。让一些正电压施加在VGG上。然后少数载流子即空穴被排斥而多数载流子即电子被吸引向SiO 2层。
在VGG处具有一定量的正电位时，一定量的漏极电流ID流过源极到漏极。当该正电位进一步增加时，电流ID由于来自源极的电子流动而增加，并且由于施加在VGG的电压而进一步推动这些电流。因此，施加的VGG越正，漏极电流ID的值就越大。由于电子流的增加比耗尽模式更好，电流得到增强。因此，这种模式被称为增强模式mos管。
P - 沟道 mos管的构造（耗尽型）
Pmos管的构造和工作与 Nmos管相同。取一个轻掺杂的n-衬底，其中扩散了两个重掺杂的P 区。这两个 P 区域用作源极和漏极。在表面上生长一层薄薄的SiO 2 。通过该层切割孔以与 P 区域接触，如下图所示。
