mos管饱和特性图
- 输入和门连接到VDD
- 栅源电压远大于阈值电压，VGS > VTH
- mos管为“ON”（饱和区）
- 最大漏极电流 ( ID = VDD / RL )
- V DS = 0V（理想饱和度）
- 最小通道电阻RDS(on) < 0.1Ω
- 由于RDS(on) ， VOUT = VDS ≅ 0.2V
- mos管作为低电阻“闭合开关”运行
然后，当使用 e-mos管作为开关作为栅源电压时，我们可以定义饱和区域或“导通模式”，VGS > VTH。因此ID = 最大值。对于 P 沟道增强型mos管，栅极电位相对于源极必须更负。
通过向栅极施加合适的驱动电压，漏源通道的电阻R DS(on)可以从数百 kΩ（实际上是开路）的“关断电阻”变化到“导通电阻”小于 1Ω，有效地起到短路作用。
当使用mos管作为开关时，我们可以驱动mos管更快或更慢地“导通”，或者通过高电流或低电流。这种将功率mos管 “打开”和“关闭”的能力允许该器件用作非常高效的开关，其开关速度比标准双极结型晶体管快得多。
线性/欧姆区域
漏极到源极端子的电流随着漏极到源极路径上的电压的增加而增强的区域。当 mos管件该线性区域内工作时，执行放大器功能。
mos管的封装mos管最常用的封装是 TO-220，为了更好地理解，先看一下著名的IRF540N MOSFET的引脚排列（如下所示）。Gate、Drain 和 Source 引脚在下面列出，这些引脚的顺序可能会因制造商而不通。其他流行的 mos管 是IRFZ44N、BS170、IRF520、2N7000等。
mos管的封装图
mos管有不同的封装、尺寸和名称，可用于不同类型的应用。通常，mos管以 4 种不同的封装形式交付，即表面贴装、通孔、PQFN 和 DirectFET。
mos管的封装
mos管在每种封装中都有不同的名称，如下所示：
- 表面贴装： TO-263、TO-252、MO-187、SO-8、SOT-223、SOT-23、TSOP-6等。
- 通孔： TO-262、TO-251、TO-274、TO-220、TO-247 等。
- PQFN： PQFN 2x2、PQFN 3x3、PQFN 3.3x3.3、PQFN 5x4、PQFN 5x6等。
- DirectFET： DirectFET M4、DirectFET MA、DirectFET MD、DirectFET ME、DirectFET S1、DirectFET SH等。
以上就是关于mos管的基础知识，由于时间有限，加上内容比较多，关于mos管的具体应用，特性参数，检测好坏等会在之后进行讲解。
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