可控硅内部原理,怎样看懂可控硅工作原理

只有在G、K加上正向电压后，才可以触发可控硅的导通，这个触发电压的最小值称为门极触发电压V_GT（Gate Trigger Voltage），这个值就是一个PN结的结电压（不是电池电压V_GK），此时流过控制极的电流称为门极触发电流I_GT（Gate Trigger Voltage）

刚刚进入放大状态（微导通）的三极管Q2将基极电流I_B2进行放大，相应集电极的电流为I_C2，其值为（I_B2×β2），尽管放大了β2倍，但此时的I_C2还比较小，因此I_A与I_B1也比较小（但是已经不为0了），电阻R2中也有微小电流，可以看成一个完整的电流回路，但此时的Q2的集电极-发射极压降仍然很大。

与此同时，三极管Q1的发射极一直是V_AK（最高电压），集电极一直是较低的电压（V_BE2），只要基极设置合适的电压，就可以进入放大状态，所以一直卧薪尝胆、蛰伏待机。Q2集电极电流I_C2的出现，使得三极管Q1有机可乘。

处于微导通状态的三极管Q2形成的回路使三极管Q1基极所欠缺的电压一步到位，时机终于成熟了，三极管Q1也因此刚刚进入放大状态（微导通）！由于I_B1与I_C2是相同的，I_B1经Q1放大后，其集电极电流I_C1=（I_B2×β2×β1），这个电流值又比I_C2增大了β1倍。

三极管Q1放大后的集电极电流I_C1无处可逃，只好往Q2的基极去钻（不会跑到电阻R1这边来，因为电压V_GK肯定比V_BE2要高，水往低处走），I_C1就变成了I_B2，三极管Q2的基极电流I_B2被替换成了（I_B2×β2×β1），比原来增加了（β2×β1）倍。

所谓人多好办事，这个更大的基极电流I_B2第二次被三极管Q2放大，此时的I_C2就是（I_B2×β2×β1×β2），然后又重复被两个三极管交互进行正反馈放大，周而复始。

在这个过程中，三极管Q2的集电极-发射极压降越来越小，阳极电流I_A的电流也越来越大，最终Q2饱和了（Q1也不甘示弱，节奏妥妥地跟上），最后就成为下图所示的：