光刻机是用来制造芯片的核心装备，而芯片的重要性那就不言而喻了，而没有光刻机，我们就没有办法制造芯片，所以涉及到芯片，那么光刻机就是无法躲开的存在。
目前我国的国产光刻机，只能生产90纳米的芯片，就算我们能设计更为精细的芯片，可是没有光刻机一样造不出，目前我们要做的是突破28纳米的光刻机技术。
有句话说，芯片是微观制造工艺的极限。
那么将这个极限制造出来的光刻机，有多难非常明显了，而每一纳米的突破，都是极其难得，阿斯麦尔温彼得甚至还表示，中国不太可能独立造出顶尖光刻机。
要说最难的就是这3个点了。
1、光源
我们知道，目前ASML最尖端的就是EUV光刻机了，而其使用的就是极紫外线，能够将光刻技术扩展到32nm以下。
然而在EUV光刻机面世之前，一直都是使用的DUV光刻机，使用的是短波紫外线，突破到极紫外线，一共花费了20年的时间才完成，可见对于光源的选择使用，其的难度是非常大的，没有捷径可走。
2、反射镜
反射镜听起来好像是一个比较常见的工具，然而在EUV光刻机上的反射镜可是一个关键技术。
EUV多层膜反射镜是光学系统当中重要的元件，有了这个反射镜的存在，才能够时间EUV波段的高反射率，且精度要求是非常高，精度越高的东西越难造，显然这个反射镜就不是一个容易造的。
3、工作台
在芯片制造当中，需要工作台进行配合，而在芯片制造当中，工作台移动来帮助芯片的纹路刻蚀，因此工作台移动的精度越高，那么制作出来的芯片精度也就越高。
而ASML采用的则是一种激光干涉仪，精度非常高，有着位移测量的能力，可以实现出纳米级的同步运动，非常精密，这样的技术就是美国也没有办法做到。
可见光刻机的建造难度极大，而其的建造，也代表着现如今最完整的高尖端工业体系，代表的是一个国家真正的科技力量，和真正的工业实力，因此是不容小觑的。
这需要时间的沉淀，相信我国能够尽快完成28nm级光刻机，尽早做到自主芯片量产，再突破更为精细的光刻机。
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