CsCl晶体中，每个离子被处在立方体8个顶点带相反电荷的离子包围，Cl-离子和Cs 离子的配位数都为8。或以大立方体的面心Cs 离子分析，上、下层各有4个Cl-离子，配位数为8。
注意：每个Cl-(Cs )离子周围等距且紧邻的Cl-(Cs )在上下、左右、前后各2个，共6个，这不是真正的配位数。因为是同电性离子。
3．面心立方堆积晶体的配位数为6。
如NaCl型离子晶体(如下所示)，
NaCl晶体中，每个离子被处在正八面体6个顶点带相反电荷的离子包围，Cl-离子和Na 离子的配位数都为6。
注意：每个Cl-(Na )离子周围等距且紧邻的Cl-(Na )在上、中、下层4个，共12个，这不是真正的配位数。因为是同电性离子。
又如金属晶体中的简单立方堆积(如图所示)，
Po晶体中，立方体位于1个顶点原子的上下、前后、左右各有2个原子与其形成金属键，配位数为6。
4．配位数为4的几种晶体。
如ZnS型离子晶体(如下图所示)，
ZnS晶体中的S2-离子和Zn2 离子排列类似NaCl型，但相互穿插的位置不同，使S2-、Zn2 离子的配位数不是6，而是4。具体可将图示中分为8个小立方体，其中体心有4个S2-离子，每个S2-离子处于Zn2 离子围成的正四面体中心，故S2-离子的配位数是4。以大立方体的面心Zn2 离子分析，上、下层各有2个S2-离子，故Zn2 离子的配位数为4。Zn2 离子的配位数不易观察，亦可利用ZnS的化学式中的离子比为1∶1，推知Zn2 离子的配位数为4。
又如金刚石、碳化硅等原子晶体(如图所示)，
与ZnS型离子晶体类似情况，配位数均为4。二氧化硅原子晶体中，Si与O原子形成的是硅氧四面体(图示略)，Si的配位数为4，而SiO2的原子比为1∶2，故O的配位数是2。
再如CaF2型离子晶体(如下图所示)，
